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FMB30H150SL 富滿微/FM MOS

30V,150A 場效應管
RDS(ON)=2.4mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.2mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)

FMB30H120SL 富滿微/FM MOS

30V,123A 場效應管
RDS(ON)=2.7mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.0mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)

FMB30H100SL 富滿微/FM MOS

30V,109A 場效應管
RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)