FMB30H120SL N 溝道溝槽功率 MOSFET
特點(diǎn)
30V、123A
RDS(ON)=2.7mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.0mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的 RDS(ON)和低柵極電荷
100% 通過 UIS 測試
液晶電視
筆記本電腦
電梯 ? 感應(yīng)加熱
電動工具
寬帶
推薦品牌
產(chǎn)品分類
sophieyang@wintec-semi.com
廣東省深圳市南山區(qū)深南大道海岸時代大廈東B座23樓2303