搜索
FMB30H100SL 富滿微/FM MOS
FMB30H100SL 富滿微/FM MOS
30V,109A 場(chǎng)效應(yīng)管
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
FMB30H100SL 富滿微/FM N 溝道溝槽功率 MOSFET
| 特點(diǎn) 30V、109A RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供出色的 RDS（ON）和低柵極電荷 100% 通過 UIS 測(cè)試 | 應(yīng)用 液晶電視 筆記本電腦 電梯 感應(yīng)加熱 電動(dòng)工具 寬帶 |
上一個(gè)：
FMB30H120SL 富滿微/FM MOS
下一個(gè)：
[停產(chǎn)]HT97230 帶3D環(huán)繞耳放
|
|
sophieyang@wintec-semi.com
廣東省深圳市南山區(qū)深南大道海岸時(shí)代大廈東B座23樓2303