FMB30H100SL 富滿微/FM N 溝道溝槽功率 MOSFET
30V、109A
RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的 RDS(ON)和低柵極電荷
100% 通過(guò) UIS 測(cè)試
液晶電視
筆記本電腦
電梯
感應(yīng)加熱
電動(dòng)工具
寬帶
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