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FMB30H100SL 富滿微/FM MOS

產(chǎn)品分類 > MOS > FMB30H100SL 富滿微/FM MOS

FMB30H100SL 富滿微/FM MOS

30V,109A 場(chǎng)效應(yīng)管
RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V
RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)

FMB30H100SL 富滿微/FM N 溝道溝槽功率 MOSFET

特點(diǎn)

30V、109A

RDS(ON)=3.1mΩ(典型值)@ VGS =10V

RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@ VGS =4.5V

先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的 RDS(ON)和低柵極電荷

100% 通過(guò) UIS 測(cè)試

應(yīng)用

液晶電視

筆記本電腦

電梯 

感應(yīng)加熱

電動(dòng)工具

寬帶

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